Područje interesa Odjela za elektroničke elemente uključuje sve elemente temeljene na elektronima i ionima koji generiraju ili su u interakciji s fotoelektričnim, elektromagnetskim, elektromehaničkim, elektro-termalnim i bioelektričnim signalima.
Područje interesa Odjela za poluvodičke integrirane sklopove uključuje projektiranje, implementaciju i primjenu poluvodičkih integriranih sklopova.
Hrvatska sekcija IEEE, Odjel za elektroničke elemente / poluvodičke integrirane sklopove pozivaju vas na predavanje
Nanoelektronički elementi temeljeni na grafenu i grafenskim nanovrpcama
koje će održati Mirko Poljak, dipl.ing, ZEMRIS, FER.
Predavanje će se održati u srijedu, 7. studenog 2012. u 15 sati u seminaru ZEMRIS-a (3. kat D zgrade). Sadržaj predavanja i životopis predavača pročitajte u nastavku obavijesti.
Biografija:
Mirko Poljak je znanstveni novak na Fakultetu elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu, gdje trenutno radi na doktoratu u području nanoelektronike. U akad.god. 2011./2012. bio je Fulbright Fellow (gostujući istraživač) u Device Research Labu, Dept. of Electrical Engineering, University of California Los Angeles (UCLA). Njegov znanstveni rad fokusiran je na transport nosilaca u niskodimenzionalnim elektroničkim elementima poput UTB SOI, FinFET i UTB InGaAs-OI struktura. Za vrijeme boravka na UCLA-u, istraživao je transportna svojstva grafena i grafenskih nanovrpci. Autor je preko 25 znanstvenih radova u časopisima i konferencijama te je član IEEE EDS-a i MIPRO-a.
Sažetak:
Da bi se riješili problemi uzrokovani skaliranjem tranzistora u CMOS tehnologiji, predložene su nove arhitekture elektroničkih elemenata i uvođenje novih materijala. Između mnogih kandidata, nanoelektronički elementi temeljeni na grafenu privukli su veliki interes znanstvene zajednice zbog visoke pokretljivosti nosilaca i kompatibilnosti grafena s planarnim procesom. Problem metalnosti grafena, koja uzrokuje visoko curenje u OFF stanju i nizak omjer ON i OFF struja, može se riješiti grafenskim nanovrpcama (GNR) koje imaju zabranjeni pojas zbog kvantnog ograničenja. Ovo predavanje opisuje transportna svojstva grafena i GNR-ova i mogućnosti njihove primjene u nanoelektronici. Također, predstavljen je atomistički simulator kvantnog transporta temeljen na atomističkom Hamiltonijanu u modelu jake veze i na formalizmu neravnotežne Greenove funkcije (NEGF). Na kraju se raspravlja o utjecaju neidealnosti podloge i kristalne rešetke grafena na transmisiju, gustoću stanja, transportni procjep i pokretljivost u ultra-uskim GNR-ovima.
