Obavijest o predavanju

Sažetak

U posljednjem desetljeću svjedoci smo izrazitog napretka u području bežičnih komunikacija. Taj segment tržišta promiče se u glavnu pokretačku snagu masovne proizvodnje elektroničkih uređaja. Više je  tehnologija koje sudjeluju u tržišnoj utakmici, a cijena konačnog proizvoda predstavlja jedan od ključnih faktora za odabir tehnologije.  Sniženje cijene proizvoda moguće je kroz integraciju tehnologija. Si/SiGe BiCMOS tehnologije  temelje se na siliciju i odlikuje ih visok prinos te mogućnost proizvodnje na velikim 300 ili 450 mm silicijskim pločama što ih čini značajnim tehnologijama za primjene u mikrovalnom frekvencijskom području od 0.8 do 10 GHz. U predavanju će biti prikazan postupak integracije bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje (engl. Horizontal Current Bipolar Transistor – HCBT) u standardni 0,18 um CMOS proces. Zbog načina procesiranja intrinzične baze, HCBT je jedini bipolarni tranzistor s lateralno orijentiranim intrinzičnim tranzistorom koji ima vrhunske karakteristike usporedive s najboljim vertikalnim tranzistorima s implantiranom bazom. Prilikom integracije HCBT-a u CMOS proces, moguće je iskoristiti velik broj standardnih CMOS procesnih koraka, što uz jednostavnost izvedbe samog tranzistora rezultira u BiCMOS tehnologiji izrazito niske cijene. U izlaganju će biti prikazane različite tranzistorske strukture koje odlikuje velika brzina rada ili visok iznos probojnog napona, a moguće ih je proizvesti istim tehnološkim procesom. Zbog niske cijene proizvodnje, te mogućnosti izvedbe različitih tranzistorskih struktura u istom tehnološkom procesu, HCBT BiCMOS tehnologija predstavlja potencijalnu tehnološku platformu za RF primjene.