Sadržaj predavanja
U ovom predavanju razmotrit će se fizikalna svojstva InSb i njihov utjecaj na primjenu u poluvodičkim elementima. Zbog male širine zabranjenog pojasa, te vrlo male efektivne mase elektrona, InSb je kompliciran materijal za modeliranje. Razmotrit će se nekoliko aspekata: upotreba Fermi-Diracove statistike, gustoće dozvoljenih stanja, modeliranje Augerove rekombinacije i generacije. Bit će prikazani i rezultati simulacije fotodetektorskih dioda, kao i mogućnosti korištenja InSb za sklopove u području vrlo visokih frekvencija (reda teraherca). Dosadašnji rezultati pokazuju da je MISFET temeljen na InSb dobro rješenje za sklopove koji rade u području teraherca.
O predavaču
Branimir Pejčinović diplomirao je na FER-u (tada ETF-u) Sveučilišta u Zagrebu, a magistrirao i doktorirao na University of Massachusetts, Amherst. Izvanredni je profesor i pomoćnik ravnatelja zadužen za dodiplomsko obrazovanje na Odjelu za Elektrotehniku i racunarsku tehniku na Sveučilištu Portland State. Također je ko-direktor Laboratorija za projektiranje i testiranje integriranih sklopova, koji ima jedinstvene mogućnosti za mjerenja, karakterizaciju i modeliranje digitalnih, mješovitih digitalno/analognih, te visokofrekvencijskih elemenata i integriranih sklopova. Bavi se
istraživanjima u području mjerenja, karakaterizacije i modeliranja poluvodičkih elemenata (SiGe BJT, GaAs FET, strained-SOI CMOS, InSb, APD) kao i problemima u području kvalitete signala i elektromagnetske kompatibilnosti. Bio je supredsjedatelj tehničkih programskih odbora dviju konferencija: IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS) 2002 te IEEE MELECON 2004, kao i gost-urednik za specijalna izdanja Analog Integrated Circuits And Signal Processing Journal (prosinac 2004) te Telecommunication Systems Journal (srpanj 2006) koja su sadržavala najbolje radove sa tih konferencija. Takodjer je bio član Tehničkog programskog odbora za International Microwave Symposium. Trenutačno je na studijskoj godini na FER-u.
